SK Hynix, 321 Katmanlı NAND’ıyla Yapay Zeka Kaynaklı Veri Depolama İhtiyacına Yönelik İlerliyor

SK Hynix ve Samsung, NAND flaş bellek pazarında üst üste gelenek savaşlarına devam ederken SK Hynix, yeni bir lansmanla öne geçti. Dünyanın en büyük ikinci bellek yongası üreticisi olan SK Hynix, yakın zamanda 300 katmanın üzerinde üç seviyeli hücre (TLC) NAND flaşını seri üreten ilk şirket oldu. Şirketin yeni duyurduğu 321 katmanlı, 1 terabitlik TLC 4D NAND flaşı, veri depolama endüstrisini devrim yapacak şekilde yeniden şekillendirmeye hazırlanıyor, böylece 100TB’nin üzerinde kapasiteye sahip daha fazla uygun fiyatlı ultra yüksek kapasiteli katı hal sürücülerinin (SSD’ler) önünü açacak.

SK Hynix’in 321 Katmanlı NAND Flaşı
NAND endüstrisi, veri depolama teknolojisinin sınırlarını zorlamak için yarışıyor ve SK Hynix’in başarısı büyük bir kilometre taşı niteliğinde. Geçen yıl 238 katmanlı NAND flaşını duyurduktan sonra, SK Hynix’in son 321 katmanlı NAND flaşı yeni bir endüstri standardı belirliyor. Şirket, bu yongaları müşterilere 2025’in ilk yarısında tedarik etmeyi planlıyor ve hedefi, yüksek performanslı, enerji verimli depolama çözümleri gerektiren patlayıcı yapay zeka (AI) pazarı. 321 katmanlı NAND, SK Hynix’in “Üç Fiş” işlem teknolojisi sayesinde mümkün oldu, bu da üç fişi elektriksel olarak optimize edilmiş bir takip adımıyla bağlamayı içerir ve çiplerin hızını, güç verimliliğini ve genel performansını önemli ölçüde arttırır. SK Hynix, ayrıca düşük stresli bir malzeme geliştirdi ve fişler arasındaki hizalamayı otomatik olarak düzeltme teknolojisini tanıttı ve üretim sürecini daha da optimize etti. 321 katmanlı ürün, önceki 238 katmanlı NAND’a göre veri transfer hızında %12, okuma performansında %13 artış sağlıyor. Ayrıca, enerji tüketimini %10’un üzerinde azaltıyor. SK Hynix’in yeni NAND’i ile AI veri merkezleri ve cihazdaki AI uygulamaları için geliştirilmiş bir depolama çözümü sunuyor. Bu tarihi başarıyı elde eden SK Hynix’in ana rakibi Samsung ise geride değil. Samsung’un 2026’da piyasaya sürmeyi planladığı 400 katmanlı NAND flaş yongası üzerinde çalıştığı bildiriliyor. Şirketin yol haritası, daha büyük depolama yoğunluğuna ve ısınmayı en aza indirgeyen dikey NAND (BV NAND) teknolojisi geliştirmeyi içeriyor. Samsung’un uzun vadeli hedefi, 2030 yılına kadar 1.000 katmanın üzerinde NAND yongaları tanıtmak ve AI destekli SSD’ler için 200TB depolama engelini potansiyel olarak aşmaktır. SK Hynix’in NAND Geliştirme Müdürü Jungdal Choi, “SK Hynix, DRAM işinin önünde olan ultra yüksek performanslı NAND alanında mükemmel bir portföy ekleyerek Tam Yığın Al Bellek Sağlayıcı’ya ilerlemeye devam ediyor,” dedi. KEDGlobal aracılığı ile

Ayrıca beğenebilirsiniz
En İyi Taşınabilir SSD’ler İş Dizüstülerinin En İyileri Vodafone ve Three Birleşmesi, Önemli Bir Adımdan Sonra Daha Erken Gerçekleşebilir gibi haberleri de okuyabilirsiniz.