SK Hynix hat mit seinem neuen 321-Schicht-NAND-Flash die Datenübertragungsgeschwindigkeit um 12% verbessert. Die Nachfrage nach KI-Speicher treibt die Innovation bei NAND-Lösungen mit hoher Kapazität an.

In einem Kopf-an-Kopf-Rennen auf dem NAND-Flash-Speichermarkt setzt SK Hynix seinen Wettbewerb mit Samsung fort und übertrifft diesen mit einer neuen Markteinführung. SK Hynix, der zweitgrößte Speicherchip-Hersteller der Welt, hat kürzlich als erstes Unternehmen mit der Massenproduktion von Triple-Level-Cell (TLC) NAND-Flash mit über 300 Schichten begonnen. Der neue 321-Schicht-1-Terabit-TLC-4D-NAND-Flash von SK Hynix, der kürzlich angekündigt wurde, soll die Datenspeicherindustrie revolutionieren und den Weg für kostengünstigere ultrahohe Festplattenlaufwerke (SSDs) mit einer Kapazität von über 100 TB bahnen.

NAND ist eine Technologie, die die Grenzen der Datenspeichertechnologie vorantreibt, und SK Hynix hat mit seinem Durchbruch einen wichtigen Meilenstein erreicht. Nach der Einführung seines 238-Schicht-NAND-Flash im letzten Jahr setzt der neueste 321-Schicht-NAND-Flash von SK Hynix einen neuen Industriestandard. Das Unternehmen plant, diese Chips ab der ersten Hälfte des Jahres 2025 an Kunden zu liefern und zielt auf den boomenden KI-Markt ab, der leistungsstarke, energieeffiziente Speicherlösungen benötigt. Der 321-Schicht-NAND wurde durch SK Hynixs „Three Plugs“ Prozesstechnologie ermöglicht, die drei Stecker elektrisch über einen optimierten Folgeschritt verbindet und die Geschwindigkeit, Energieeffizienz und Gesamtleistung der Chips signifikant verbessert. SK Hynix hat auch ein materialarmes Material entwickelt und eine Technologie eingeführt, die die Ausrichtung der Stecker automatisch korrigiert, um den Herstellungsprozess weiter zu optimieren. Das 321-Schicht-Produkt bietet eine 12%ige Steigerung der Datenübertragungsgeschwindigkeit und eine 13%ige Verbesserung der Leseleistung im Vergleich zum vorherigen 238-Schicht-NAND. Darüber hinaus reduziert es den Stromverbrauch um mehr als 10%. Mit einer 59%igen Produktivitätssteigerung bietet SK Hynixs neuer NAND eine verbesserte Speicherlösung für KI-Datenzentren und KI-Anwendungen auf Geräten.

Während SK Hynix diesen historischen Erfolg erzielt hat, ist sein Hauptkonkurrent, Samsung, nicht weit dahinter. Samsung arbeitet angeblich an einem 400-Schicht-NAND-Flash-Chip, den es bis 2026 auf den Markt bringen will. Das Unternehmen plant, die Bonding Vertical NAND (BV NAND) Technologie zu entwickeln, die eine noch höhere Speicherdichte und minimale Hitzeentwicklung ermöglichen wird. Das langfristige Ziel von Samsung ist es, bis 2030 NAND-Chips mit über 1.000 Schichten einzuführen, wodurch möglicherweise die 200-TB-Speichergrenze für KI-betriebene SSDs durchbrochen wird.

„SK Hynix ist auf dem Weg, sich zum Full-Stack-Al-Memory-Provider zu entwickeln, indem ein perfektes Portfolio im ultrahohe Leistung NAND-Bereich zusätzlich zum DRAM-Geschäft eingeführt wird, das von HBM geleitet wird“, bemerkte Jungdal Choi, Leiter der NAND-Entwicklung bei SK Hynix. Via KEDGlobal.